反馈电容和耦合电容
...耦合电容的电缆绝缘监测系统专利,深入刻画和描述电缆绝缘状态特性金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,上海锐测电子科技有限公司申请一项名为“一种融合脉冲电流耦合电容的电缆绝缘监测系统”的专利,公开号CN 118837691 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本申请涉及电缆绝缘监测领域,具体涉及一种融合脉冲电流耦合电好了吧!
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...耦合的嵌入式电容器的基板的封装件专利,该封装件包括基板和集成器件金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“具有包括带有侧壁耦合的嵌入式电容器的基板的封装件“公开号CN117529806A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,一种封装件,该封装件包括基板和集成器件,该集成器件被耦合到该基板。该基板好了吧!
成都海光申请去耦合电容标准单元的插入方法装置设备及存储介质专利...金融界2024年10月24日消息,国家知识产权局信息显示,成都海光集成电路设计有限公司申请一项名为“去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质”的专利,公开号CN 118798108 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本申请提供一种去耦合电容标准单元的插入方法、..
一博科技获得实用新型专利授权:“一种优化PCB高速线上AC耦合电容...证券之星消息,根据企查查数据显示一博科技(301366)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种优化PCB高速线上AC耦合电容处阻抗的封装结构”,专利申请号为CN202321913433.7,授权日为2024年1月23日。专利摘要:本实用新型公开了一种优化PCB高速线上AC耦合电容处阻抗后面会介绍。
苏州龙驰申请垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决传统...顶栅外区包围在顶栅内区的底面和侧面,且顶栅外区和所述底栅之间具有间隔;其中,顶栅外区的掺杂浓度小于顶栅内区的掺杂浓度,顶栅处于浮空状态;介质层,位于所述顶栅之上的位置;耦合电容上电极,形成在所述介质层之上。本申请解决了传统的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的好了吧!
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苏州龙驰半导体科技申请电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决...重复单元包括肖特基接触的源极金属和电容耦合栅控JFET结构;电容耦合栅控JFET结构包括:在外延层内的横向方向相对间隔设置的两个栅区;两个第一介质区,分别形成在两个栅区相对的内侧,且两个第一介质区之间具有间隔;两个耦合电容上电极,分别形成在两个第一介质区内;肖特基接触后面会介绍。
苏州龙驰半导体科技申请垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法”的专利,公开号CN 119029041 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请提供了一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效是什么。
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国网江苏省电力申请基于动态电路的电容耦合宽频电压传感器校正方法...对电容耦合式电压传感器进行校正,并得到电容耦合式电压传感器的校正后电压输出模型;基于电容耦合式电压传感器的校正后电压输出模型,对电容耦合宽频电压传感器的输出电压进行校正。对不同线径、厚度的线缆实现非接触电压测量,不受传感器与导线之间耦合电容和寄生电容的影是什么。
瑞玛精密获得发明专利授权:“介质滤波器的电容耦合结构”证券之星消息,根据企查查数据显示瑞玛精密(002976)新获得一项发明专利授权,专利名为“介质滤波器的电容耦合结构”,专利申请号为CN201911039891.0,授权日为2024年6月7日。专利摘要:本发明公开一种介质滤波器的电容耦合结构,包括介质滤波器本体以及位于介质滤波器本体上的等会说。
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...公司申请偶极子的可插拔连接专利,偶极子能够一次与多个连接电容耦合一种偶极子,包括柔性端,用于插入天线结构中的插座中。所述柔性端包括彼此铰接连接的两个塑料部件。所述偶极子提供与天线结构的可插拔和可调连接。所述柔性端使所述偶极子能够一次与多个连接电容耦合,在所有方向上都有很好的接触或位置,公差非常低,成本也很低。本文源自金说完了。
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